Composants électroniques, mémoire, 165 LBGA CY7C1319CV18-250BZC, en stock
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Attributs
Composant et pièceType
18 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Composants électroniques ICCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Synchrone, DDR II
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:250 MHz
Organisation de la mémoire:1M18
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
18 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Synchrone, DDR II
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
250 MHz
Organisation de la mémoire
1M18
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
6 - 3 005 pièce
24,48 €
>= 3 006 pièce
12,24 €
Options
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CY7C1319CV18 250BZC
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