Composants électroniques, mémoire, 165 LBGA CY7C1518TV18-250BZC, en stock
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Attributs
SRAM - Synchrone, DDR IITechnologie
volatileType de mémoire
4Mx18Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
72 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Sac
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques en ligne
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:250 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Synchrone, DDR II
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
4Mx18
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
72 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Sac
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques en ligne
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
250 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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1 - 3 000 pièce
82,32 €
>= 3 001 pièce
41,16 €
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CY7C1518TV18 250BZC
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