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Composants électroniques, mémoire, 200 WFBGA MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR Original

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
16 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants de pièces électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR4 mobile
Tension D'alimentation:1,1 V
Fréquence de l'horloge:1,866 GHz
Organisation de la mémoire:512 millions x 32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
16 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants de pièces électroniques
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Tension D'alimentation
1,1 V
Fréquence de l'horloge
1,866 GHz
Organisation de la mémoire
512 millions x 32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
-

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
100 - 3099 pièce
0,5161 €
>= 3100 pièce
0,2581 €

Expédition

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