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Composants électroniques, mémoire, 200 WFBGA MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR Original

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Attributs

SDRAM - LPDDR4 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
512 millions x 32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants de pièces électroniques
Tension D'alimentation:1,1 V
Fréquence de l'horloge:1,866 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-

Caractéristiques du produit

Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512 millions x 32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants de pièces électroniques
Tension D'alimentation
1,1 V
Fréquence de l'horloge
1,866 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
-

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
100 - 3 099 pièce
0,5141 €
>= 3 100 pièce
0,2571 €

Spécification

MT53D512M32D2DS 053 AAT : D TR

Expédition

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