Composants électroniques, mémoire, 24 VBGA S80KS5123GABHA020, original, service complet
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Attributs
PSRAM (Pseudo-SRAM)Technologie
volatileType de mémoire
64Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
512 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35 secondes
Interface mémoire:SPI - E/S octales
Caractéristiques du produit
Technologie
PSRAM (Pseudo-SRAM)
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
64Mx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
512 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
35 secondes
Interface mémoire
SPI - E/S octales
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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1 - 3 000 pièce
2,89 €
>= 3 001 pièce
1,45 €
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S80KS5123GABHA020
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