





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
64 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation:4,75 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:8K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:200 nanos
Interface mémoire:Parallèle














