Composants électroniques, mémoire, 44 TSOP CY15B102N-ZS60XET, original, service complet
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Attributs
Composant et pièceType
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégréCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FRAM (RAM ferroélectrique)
Tension D'alimentation:2 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:128Kx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:90 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
2 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FRAM (RAM ferroélectrique)
Tension D'alimentation
2 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
128Kx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
90 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 000 - 3 999 pièce
9,00 €
>= 4 000 pièce
4,50 €
Options
SélectionnerSpécification
CY15B102N et ZS60XET
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