Composants électroniques, mémoire, 78 TFBGA AS4C512M8D4-75BINTR BOM IC en stock
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Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4GbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM-DDDR4
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,26 V
Fréquence de l'horloge:1,333 GHz
Organisation de la mémoire:512 millions x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:POD
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
4Gbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM-DDDR4
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,26 V
Fréquence de l'horloge
1,333 GHz
Organisation de la mémoire
512 millions x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
POD
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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3,53 €
>= 5500 pièce
1,77 €
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