Composants électroniques, puce mémoire 8 WDFN, patin exposé GD5F2GM7UEYIGY, en stock
Note de la boutique :4.5
(2 avis)
Attributs
FLASH - NAND (SLC)Technologie
Non volatileType de mémoire
256 millions x 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré (CI)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:600 micros
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, DTR
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
256 millions x 8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré (CI)
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
2 Go
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
600 micros
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
SPI - Quad E/S, DTR
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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GD5F2GM7UEIGY
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