Composants électroniques, mémoire 96 TFBGA NDQ86PFI-6NIT TR, canal du fabricant
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Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Kit de circuits intégrés
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM-DDDR4
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,26 V
Fréquence de l'horloge:1,6 GHz
Organisation de la mémoire:512 millions x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:POD
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
8 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Kit de circuits intégrés
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM-DDDR4
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,26 V
Fréquence de l'horloge
1,6 GHz
Organisation de la mémoire
512 millions x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
POD
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 - 1499 pièce
7,56 €
>= 1500 pièce
4,81 €
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