Composants électroniques, mémoire EDFP112A3PF-GD-F-R TR, distributeur agréé
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Attributs
Composant et pièceType
24 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégré ICCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR3 mobile
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:800 MHz
Organisation de la mémoire:192 million x 128
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
24 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM - LPDDR3 mobile
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
800 MHz
Organisation de la mémoire
192 million x 128
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,4717 €
>= 3 100 pièce
0,2359 €
Options
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EDFP112A3PF GD FR TR
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