Composants électroniques R1LP0108ESA-7SR # Mémoire B0 32 TFSOP, circuit intégré BOM, en stock
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Attributs
SRAMTechnologie
volatileType de mémoire
128Kx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 MbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:70 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
128Kx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Mbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
70 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
52 - 3 051 pièce
2,46 €
>= 3 052 pièce
1,24 €
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R1LP0108ESA7SR # B00
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