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Composants électroniques RFW2N06RLE 4-DIP, Transistors Hexdip BOM IC en stock

Name: Composants électroniques RFW2N06RLE 4-DIP, Transistors Hexdip BOM IC en stock
Brand: UNITE CHANCE CO., LIMITED
SKU: 1601819352035
Price: 0.63 USD
Availability: InStock

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1,12 €

100-3 099 pièce

0,5556 €

≥3 100 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

RFW2N06RLE

Marque nom

Original

Description

MOSFET de puissance canal N

Point d'origine

China

Package/Boîte

4-DIP, Hexdip

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Expédition

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Caractéristiques du produit

Type de montage

Norme

FET Caractéristique

Package/Boîte

4-DIP, Hexdip

Description

MOSFET de puissance canal N

Référence fabricant

RFW2N06RLE

Marque nom

Original

Point d'origine

China

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Série

Code date de fabrication

NEUF

FET Type

N-Channel

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

60 V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

2A (Tc)

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

200 mOhms à 2 A, 5 V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

30 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

535 pF @ 25 V

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

Vgs (Max)

+10V, -5V

Type de montage

À travers le trou

Emballage

En vrac

Type de FET

Canal N

Technologie

MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités

Article unique

seul paquet taille

1X1X1 cm

unique poids brut

0.100 kg

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Quantité (pièce)	1 - 100 000	> 100 000
Durée estimée (jours)	31	À négocier