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Composants électroniques RQ3E070BNTB1 Transistors 8-HSMT en stock

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100-3 099 pièce
0,3552 €
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Caractéristiques

Référence fabricant

RQ3E070BNTB1

Marque nom

Original

Description

MOSFET de puissance NCH 30V 15A : RQ3E07

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-HSMT (3.2x3)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
RQ3E070BNTB1
Marque nom
Original
Description
MOSFET de puissance NCH 30V 15A : RQ3E07
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-HSMT (3.2x3)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
7A (Ta), 15A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
27 mOhms à 7 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 1 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8,9 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
410 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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