Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
16 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:2M x 8, 1M x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:70 secondes
Interface mémoire:Parallèle
