





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
16 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants de circuits électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:56 MHz
Organisation de la mémoire:512Kx32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:60 secondes
Interface mémoire:Parallèle














