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Composants électroniques, puces SEMITOP2 STG3P2M10N60B, transistors d'origine

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100-3 099 pièce
8 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

STG3P2M10N60B

Marque nom

Original

Description

IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2

Point d'origine

China

Package/Boîte

SEMITOP2

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
STG3P2M10N60B
Marque nom
Original
Description
IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
Point d'origine
China
Package/Boîte
SEMITOP2
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
SEMITOP
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
19 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
600 V
Courant-coupure de collecteur (Max)
10 µA
Puissance Max
56 W
Type IGBT
-
Configuration
Inverseur Triphasé
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
720 pF @ 25 V
Entrée
Single Phase Bridge Rectifier
Thermistance NTC
Non
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
En vrac
Type d'IGBT
-
Configuration
Onduleur triphasé
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
19 A
Puissance - Max
56 W
Entrée
Redresseur en pont monophasé

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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