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Composants électroniques TO-263 IXTA3N50D2-TRL Transistors BOM IC en stock

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IXTA3N50D2-TRL

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 500V 3A TO263

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-263 (D2PAK)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IXTA3N50D2-TRL
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-263 (D2PAK)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
Dépauvrisement
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel, Depletion Mode
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
500 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
3A (Tj)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1,5 ohms à 1,5 A, 0 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1070 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
0V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
Canal N, mode de déplétion
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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