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Composants électroniques, transistors 5-DFNW NVMFWS0D9N04XMT1G BOM IC en stock

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Caractéristiques

Référence fabricant

NVMFWS0D9N04XMT1G

Marque nom

Original

Description

40V T10M EN BOÎTIER S08FL

Point d'origine

China

Package/Boîte

5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Référence fabricant
NVMFWS0D9N04XMT1G
Marque nom
Original
Description
40V T10M EN BOÎTIER S08FL
Point d'origine
China
Package/Boîte
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
40 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
48A (Ta), 273A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
0,9 mOhms à 30 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,5 V à 150 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
61,3 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3896 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en surface, flanc mouillable
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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