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Composants électroniques Transistors 8-SolC IRF7309TRPBF Service complet original

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Référence fabricant

IRF7309TRPBF

Marque nom

Original

Description

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largeur)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRF7309TRPBF
Marque nom
Original
Description
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largeur)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
HEXFET
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
1,4 W
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
4A, 3A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
50 mOhms à 2,4 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
520pF à 15V
Configuration
N and P-Channel
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canal N et P

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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