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Composants électroniques, transistors LFPAK56, Power-SO8 BUK9Y38-100E,115, distributeur agréé

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Caractéristiques

Référence fabricant

BUK9Y38-100E,115

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56

Point d'origine

China

Package/Boîte

LFPAK56, Power-SO8

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
BUK9Y38-100E,115
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
Point d'origine
China
Package/Boîte
LFPAK56, Power-SO8
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
TrenchMOS
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
30A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
38 mOhms à 5 A, 5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,1 V à 1 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21,6 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2541 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
5V, 10V
Vgs (Max)
±10V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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