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Composants électroniques : Transistors PG-HSOF-8-2 IMT65R026M2HXUMA1 – Canal Fabricant

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3,62 €
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Caractéristiques

Référence fabricant

IMT65R026M2HXUMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET en carbure de silicium

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-HSOF-8-2

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IMT65R026M2HXUMA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET en carbure de silicium
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-HSOF-8-2
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
CoolSiC
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
81A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
24 mOhms à 34,5 A, 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5,6 V à 7 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1499 pF à 400 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
15V, 20V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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