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Composants électroniques, transistors TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NHDTC114ET-QR, distributeur agréé

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Référence fabricant

NHDTC114ET-QR

Marque nom

Original

Description

NHDTC114ET-Q/SOT23/TO-236AB

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Série

NHDTC114ET-Q

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NHDTC114ET-QR
Marque nom
Original
Description
NHDTC114ET-Q/SOT23/TO-236AB
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Série
NHDTC114ET-Q
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
100 mA
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
80 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
100 mV à 500 µA, 10 mA
Courant-coupure de collecteur (Max)
100nA
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 à 10 mA, 5 V
Puissance Max
250 mW
Résistance-socle (R1)
10 kOhms
Résistance-socle émetteur (R2)
10 kOhms
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de transistor
NPN - Pré-biasé
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
100 mA
Fréquence - Transition
170 MHz
Puissance - Max
250 mW

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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