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Composants électroniques XP3C023AMT 8-PowerLDFN Transistors – Service complet d'origine

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Référence fabricant

XP3C023AMT

Marque nom

Original

Description

MOSFET N/P-CH 30V 12A PMPAK

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-PowerLDFN

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
XP3C023AMT
Marque nom
Original
Description
MOSFET N/P-CH 30V 12A PMPAK
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-PowerLDFN
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
XP3C023A
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
3,57 W (Ta)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
12A (Ta), 10A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
10,4 mΩ à 10 A, 10 V, 23,5 mΩ à 7,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 1 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19,2 nC à 4,5 V, 21,6 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2320pF à 15V, 2480pF à 15V
Configuration
N and P-Channel
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canal N et P

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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