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Composants de circuits électroniques Transistors 12-VDFN à pad exposé BLP7G22-10Z Canal Fabricant

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Référence fabricant

BLP7G22-10Z

Marque nom

Original

Description

RF MOSFET LDMOS 28V 12HVSON

Point d'origine

China

Package/Boîte

12-VDFN avec pad exposé

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
BLP7G22-10Z
Marque nom
Original
Description
RF MOSFET LDMOS 28V 12HVSON
Point d'origine
China
Package/Boîte
12-VDFN avec pad exposé
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Fréquence-Transition
2,14 GHz
Courant nominal (ampères)
-
Alimentation-Sortie
2W
Tension Nominale
65 V
Configuration
Double Source Commune
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT), Digi-Reel
Technologie
LDMOS
Configuration
Double, source commune
Fréquence
2,14 GHz
Gain
16dB

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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