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Composants de circuits électroniques 200 TFBGA MT53E2G32D4DE-046 AAT:C Mémoire Originale

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
64 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
BoîteType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR4X mobile
Tension D'alimentation:1,06 V ~ 1,17 V
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Organisation de la mémoire:2G pour 32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:18 ans
Interface mémoire:Parallèle
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
64 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Boîte
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés électroniques
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM - LPDDR4X mobile
Tension D'alimentation
1,06 V ~ 1,17 V
Fréquence de l'horloge
2,133 GHz
Organisation de la mémoire
2G pour 32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
18 ans
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
1 - 3000 pièce
35,54 €
>= 3001 pièce
17,78 €

Expédition

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