Composants de circuits électroniques 24 TBGA IS66WVH64M8DALL-166B1LI-TR Mémoire Distributeur agréé
Note de la boutique :5.0
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Attributs
PSRAM (Pseudo-SRAM)Technologie
volatileType de mémoire
64Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
512 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants de pièces électroniques
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:36 secondes
Interface mémoire:Bus hyper
Caractéristiques du produit
Technologie
PSRAM (Pseudo-SRAM)
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
64Mx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
512 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants de pièces électroniques
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
36 secondes
Interface mémoire
Bus hyper
Emballage et livraison
vente Unités
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seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
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IS66WVH64M8DALL 166B1LI TR
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