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Composants de circuits électroniques 2SK3978-TL-E TP Transistors BOM IC en stock

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2SK3978-TL-E

Marque nom

Original

Description

2SK3978 - MOSFÉT SILICIUM CANAL N

Point d'origine

China

Package/Boîte

TP

Température de fonctionnement

150°C

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
2SK3978-TL-E
Marque nom
Original
Description
2SK3978 - MOSFÉT SILICIUM CANAL N
Point d'origine
China
Package/Boîte
TP
Température de fonctionnement
150°C
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
4A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
550 mOhms à 2 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,6 V à 1 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 20 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
En vrac
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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