Composants de circuits électroniques 44 TSOP MR4A08BCYS35R Mémoire Fabricant Canal
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5Chips Tech Limited
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Attributs
MRAM (RAM magnétronrésistif)Technologie
Non volatileType de mémoire
2Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
2Mx8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
16 mégabits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
35 secondes
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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