





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
64 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FRAM (RAM ferroélectrique)
Tension D'alimentation:3 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:1 MHz
Organisation de la mémoire:8K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:I2C














