





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
16 Mbits (FLASH-NOR), 1 Gbit (FLASH-NAND)Taille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants de pièces électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND, FLASH - NON
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:104 MHz
Organisation de la mémoire:2 Mo x 8 (FLASH-NOR), 128 Mo x 8 (FLASH-NAND)
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:3 mètres
Interface mémoire:SPI - Quad E/S














