Composants de circuits électroniques 84 TFBGA IS43DR16128C-3DBLI Mémoire en stock
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Attributs
SDRAM-DDDR2Technologie
volatileType de mémoire
128Mx16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:333 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle

5Chips Tech Limited
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Marchés principaux: Kazakhstan, Hong Kong (RAS), Danemark, États-Unis d'Amérique, Australie
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDDR2
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
128Mx16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Fréquence de l'horloge
333 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
2 Go
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
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paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
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