Composants de circuits électroniques AS4C64M8SD-7TCNTR 54 TSOP Mémoire en stock
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Attributs
Composant et pièceType
512 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuits intégrésCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:mémoire SDRAM
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Organisation de la mémoire:64Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:VTTL
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
512 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés
Type de mémoire
volatile
Technologie
mémoire SDRAM
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Organisation de la mémoire
64Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
VTTL
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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AS4C64M8SD7TCNTR
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