Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR), Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants de circuits électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Asynchrone
Tension D'alimentation:2,2 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:128Kx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:10 secondes
Interface mémoire:Parallèle
