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Composants de circuits électroniques HT8KE6TB1 Transistors 8-PowerVDFN Distributeur agréé

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100-3 099 pièce
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≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

HT8KE6TB1

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-PowerVDFN

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
HT8KE6TB1
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-PowerVDFN
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
2W (Ta), 14W (Tc)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
57 mOhms à 4,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 1 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6,7 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
305pF à 50V
Configuration
2 N-Channel
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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