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Composants de circuits électroniques IPSA70R2K0CEAKMA1 PG-TO251-3 Transistors en stock

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Référence fabricant

IPSA70R2K0CEAKMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-TO251-3

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPSA70R2K0CEAKMA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-TO251-3
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
700 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
4A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
2Ohms à 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,5 V à 70 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7,8 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
163 pF @ 100 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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