





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:2,3 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:104 MHz
Organisation de la mémoire:512Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:800 micros
Interface mémoire:SPI - Quad E/S














