Composants de circuits électroniques IS25LQ040B-JULE 8 UFDFN Mémoire à contacts apparents En stock
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Attributs
Composant et pièceType
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuits intégrés électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:2,3 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:104 MHz
Organisation de la mémoire:512Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:800 micros
Interface mémoire:SPI - Quad E/S
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IS25LQ040B JUILLET
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