Composants de circuits électroniques IS66WVH32M8DBLL-100B1LI 24 TBGA Mémoire Originale
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Attributs
PSRAM (Pseudo-SRAM)Technologie
volatileType de mémoire
32Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
256 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:100 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:40 secondes
Interface mémoire:Bus hyper
Caractéristiques du produit
Technologie
PSRAM (Pseudo-SRAM)
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
32Mx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
256 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
100 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
40 secondes
Interface mémoire
Bus hyper
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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Description des produits par le fournisseur
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IS66WVH32M8DBLL100B1LI
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