Composants de circuits électroniques MR4A16BMA35 48 LFBGA Mémoire en stock
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Attributs
MRAM (RAM magnétronrésistif)Technologie
Non volatileType de mémoire
1M x 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés électroniques
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35 secondes
Interface mémoire:Parallèle

5Chips Tech Limited
HK1 an sur Alibaba.com
5/5.0(1 commentaires)Taux de réachat: 15%Temps de réponse ≤ 4hTaux de livraison dans les délais ≥ 93%
Marchés principaux: Kazakhstan, Hong Kong (RAS), Danemark, États-Unis d'Amérique, Australie
Caractéristiques du produit
Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
1M x 16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés électroniques
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
16 mégabits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
35 secondes
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
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paquet taille par lot
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