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Composants de circuits électroniques MR4A16BMA35 48 LFBGA Mémoire en stock

Note de la boutique :5.0
(1 avis)

Attributs

MRAM (RAM magnétronrésistif)Technologie
Non volatileType de mémoire
1M x 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés électroniques
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35 secondes
Interface mémoire:Parallèle
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5Chips Tech Limited
HK1 an sur Alibaba.com
5/5.0(1 commentaires)Taux de réachat: 15%Temps de réponse ≤ 4hTaux de livraison dans les délais ≥ 93%
Marchés principaux: Kazakhstan, Hong Kong (RAS), Danemark, États-Unis d'Amérique, Australie

Caractéristiques du produit

Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
1M x 16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés électroniques
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
16 mégabits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
35 secondes
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
Easy return
1 - 3 000 pièce
18,90 €
>= 3 001 pièce
9,45 €

Spécification

M.4A16BMA35

Expédition

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