





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
8 térabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (TLC)
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:1T fois 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle













