Composants de circuits électroniques MT62F2G32D8DR-031 WT:B TR Mémoire Originale
Composants de circuits électroniques MT62F2G32D8DR-031 WT:B TR Mémoire OriginaleAucun avis pour l'instant
Attributs
Composant et pièceType
64 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Composants électroniques ICCaractéristiques
Type de mémoire:-
Technologie:SDRAM - LPDDR5 mobile
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
64 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Type de mémoire
-
Technologie
SDRAM - LPDDR5 mobile
Tension D'alimentation
-
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
-
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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MT62F2G32D8DR 031 WT : B TR
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