Composants de circuits électroniques Mémoire 119 BGA 71T75602S166BG Distributeur agréé
Note de la boutique :4.6
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Attributs
SRAM - Synchrone, SDR (ZBT)Technologie
volatileType de mémoire
512Kx36Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
18 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation:2,375 V ~ 2,625 V
Fréquence de l'horloge:166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Synchrone, SDR (ZBT)
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512Kx36
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
18 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation
2,375 V ~ 2,625 V
Fréquence de l'horloge
166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 - 3 000 pièce
20,15 €
>= 3 001 pièce
10,08 €
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71T75602S166BG :7
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