Composants de circuits électroniques Mémoire 132 VBGA MT29F1T08EEHBFJ4-T:B Original
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Attributs
FLASH - NAND (TLC)Technologie
Non volatileType de mémoire
128Gx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 térabitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:En vrac
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NAND (TLC)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
128Gx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 térabit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
En vrac
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,4724 €
>= 3 100 pièce
0,2362 €
Options
SélectionnerSpécification
MT29F1T08EEHBFJ4 T : B
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