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Composants de circuits électroniques Mémoire 132 VBGA MT29F1T08EEHBFJ4-T:B Original

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 térabitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
En vracType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique Bom Service
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (TLC)
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:128Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
1 térabit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
En vrac
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique Bom Service
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NAND (TLC)
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
128Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
100 - 3099 pièce
0,4719 €
>= 3100 pièce
0,236 €

Expédition

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