Composants de circuits électroniques Mémoire 153 TFBGA SFEM128GB1ED1TO-I-7G-111-STD En stock
Note de la boutique :4.5
(2 avis)
Attributs
FLASH - NANDTechnologie
Non volatileType de mémoire
128Gx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 térabitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Kit de circuits intégrés
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:eMMC
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NAND
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
128Gx8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Kit de circuits intégrés
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
1 térabit
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
eMMC
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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1 - 3 000 pièce
19,03 €
>= 3 001 pièce
9,52 €
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SFEM128GB1ED1TO je 7G 111 norme
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