Composants de circuits électroniques Mémoire 165 LBGA CY7C1418TV18-267BZXC Original
Note de la boutique :4.5
(2 avis)
Attributs
SRAM - Synchrone, DDR IITechnologie
volatileType de mémoire
2Mx18Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
36 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Sac
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:267 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Synchrone, DDR II
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
2Mx18
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puces IC
Fréquence de l'horloge
267 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
36 mégabits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Type de conditionnement
Sac
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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CY7C1418TV18 267ZXCT
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