Composants de circuits électroniques Mémoire 200 VFBGA MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR En stock
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Attributs
SDRAM - LPDDR4 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
768 million x 32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
24 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés électroniques
Tension D'alimentation:1,1 V
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
768 million x 32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
24 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés électroniques
Tension D'alimentation
1,1 V
Fréquence de l'horloge
2,133 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
-
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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2 000 - 4 999 pièce
10,90 €
>= 5 000 pièce
5,45 €
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MT53E768M32D4DT 046 AAT : ET TR
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