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Composants de circuits électroniques, mémoire, module DIP 32, DS1249W-100IND, original

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18,28 €
7-3 006 pièce
9,14 €
≥3 007 pièce

Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

DS1249W-100IND

Type de montage

Traversant (Through Hole)

Taille de La mémoire

2Mbit

Point d'origine

China

Description

CI NVSRAM 2Mbit parallèle 32-EDIP

Expédition

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
DS1249W-100IND
Type de montage
Traversant (Through Hole)
Taille de La mémoire
2Mbit
Point d'origine
China
Description
CI NVSRAM 2Mbit parallèle 32-EDIP
Type de conditionnement
Tube
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte
Module 32-DIP (0,600", 15,24 mm)
Série
-
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation
3V ~ 3.6V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
256K x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
100ns
Interface mémoire
Parallèle
Format de mémoire
NVSRAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs