Composants de circuits électroniques Mémoire 44 TSOP IS62WV51216EFBLL-45TLI En stock
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Attributs
SRAM - AsynchroneTechnologie
volatileType de mémoire
512Kx16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
8 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Tuyau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:2,2 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:55 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Asynchrone
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512Kx16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
8 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Tension D'alimentation
2,2 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
55 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
270 - 3 269 pièce
2,04 €
>= 3 270 pièce
1,02 €
Options
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IS62WV51216EFBL 45TLI
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