Composants de circuits électroniques Mémoire 63 VFBGA IS35ML04G088-BLA2-TR Original
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Attributs
Composant et pièceType
4GbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégréCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:512 millions x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:25ns, 700µs
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4Gbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
512 millions x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
25ns, 700µs
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 500 - 4 499 pièce
3,19 €
>= 4 500 pièce
1,60 €
Options
SélectionnerSpécification
IS35ML04G088 BLA2 TR
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