Composants de circuits électroniques Mémoire 64 LQFP 7130LA35TF8 En stock
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Attributs
SRAM - Double port, asynchroneTechnologie
volatileType de mémoire
1K à 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
8 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Double port, asynchrone
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
1K à 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
8 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
35 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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100 - 3 099 pièce
0,471 €
>= 3 100 pièce
0,2355 €
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