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Composants de circuits électroniques Mémoire 68 TFBGA HYB18T1G800BF-3S Service complet original

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32,89 €
1-3 000 pièce
16,45 €
≥3 001 pièce

Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

HYB18T1G800BF-3S

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

1Gbit

Point d'origine

China

Description

CI DRAM 1Gbit parallèle 68-TFBGA

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
HYB18T1G800BF-3S
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
1Gbit
Point d'origine
China
Description
CI DRAM 1Gbit parallèle 68-TFBGA
Type de conditionnement
Ruban coupé (CT)
Température de fonctionnement
0°C ~ 95°C (TC)
Package/Boîte
68-TFBGA
Série
-
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM - DDR2
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
333 MHz
Organisation de la mémoire
128M x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Format de mémoire
DRAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
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